「我剛聘了我的好朋友李錫熙，他以前掌管SK海力士——所以你大概能猜到我正在考慮什麼。」

近日，英特爾CEO陳立武在Celesta Capital的《TechSurge》播客中的這句話，像一枚重磅信號，引發業界對其試圖重返內存市場的猜想。

陳立武在公開訪談中鬆口：「過去我始終認為存儲是低毛利的大宗商品生意，絕不碰；但AI時代完全不同了，我們正在研發全新的內存架構，探索CPU與內存3D堆疊的一體化方案。」

實際上，今年6月英特爾的一則人事任命也為此埋下了伏筆：前SK海力士CEO李錫熙正式加盟英特爾，出任英特爾代工（IFS）執行副總裁，直管先進封裝、系統集成與後端製造，直接向CEO陳立武彙報。

更耐人尋味的是，這位存儲老兵正是2020年SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業務的核心操盤手。

結合近期英特爾的消息和動態，業界呈現兩極分化的判斷。

樂觀派認為，英特爾手握x86 CPU架構話語權、全套先進封裝技術與IFS代工平台，一旦打通計算與內存的架構級融合，將打破三星、SK海力士、美光等存儲巨頭對高端存儲的壟斷，為雲廠商提供第二供應鏈選擇。

謹慎派則指出，英特爾沒有任何DRAM顆粒製造能力，核心介質完全依賴外部採購，充其量只能做封裝集成服務商，無法撼動存儲原廠的核心話語權。

英特爾存儲的榮光與潰敗

要理解如今的戰略轉向，必須先覆盤半個世紀以來，英特爾在存儲賽道的榮光、潰敗與遺產。

這家公司的存儲史，幾乎就是半部全球半導體產業變遷史。

英特爾的起點，就是存儲。

1969年英特爾推出DRAM芯片C1103，這是全球第一款商用DRAM芯片，到1972年便成為全球最暢銷的半導體產品。巔峯時期佔據全球近90%的DRAM市場份額，是名副其實的存儲霸主。

在那個年代，英特爾就是存儲的代名詞——DRAM業務的輝煌為這家初創公司奠定了技術與商業的基石。

然而，輝煌並未持續太久。

1980年代，日本半導體產業崛起。日本半導體企業憑藉舉國體制加持，以極致的成本控制與產能規模發動價格戰，迅速搶佔全球DRAM市場。英特爾DRAM業務則持續虧損，市場份額快速萎縮。

到1987年，全球十大DRAM供應商中有七家來自日本。英特爾在這場成本競賽中節節敗退——1984年公司利潤尚有1.98億美元，1985年便跌至不足200萬美元。

1985年，時任CEO安迪·格魯夫與戈登·摩爾做出了一個被《經濟學人》稱為「半導體史上最重大的戰略轉向」的決定——砍掉存儲器業務，All in微處理器業務。

這次撤退奠定了英特爾此後三十年在CPU領域的霸業，也刻下了其對存儲業務的底層認知：標準化存儲是重資產周期陷阱，不具備技術壁壘的規模競爭，英特爾沒有優勢。

從此，存儲成了英特爾「失去的戰場」。

進擊NAND閃存，90億美元斷臂離場

退出DRAM二十多年後，早已在CPU市場名滿天下的英特爾，再次把目光放到了存儲賽道。不過，這一次選擇的是NAND閃存。

2005年，英特爾與美光成立合資公司IM Flash，聯合研發生產NAND閃存，抓住了SSD替代機械硬盤的產業風口。巔峯時期，英特爾企業級SSD市佔率位居全球前列，大連12英寸NAND晶圓廠是其亞洲核心製造基地。

但重資產周期的魔咒再次應驗。

三星持續擴產發動價格戰，NAND閃存價格周期性暴跌，業務長期微利甚至虧損，拖累英特爾整體財報表現。與此同時，英特爾戰略重心向先進製程、數據中心CPU與獨立GPU傾斜，非核心資產需要剝離減負。

2020年10月，英特爾與SK海力士達成協議，以90億美元總價出售全部NAND閃存業務，包含SSD產品線、大連晶圓廠及相關知識產權，交易分兩階段交割：

• 2021年12月完成第一階段交割，SK海力士支付70億美元，接管SSD業務與大連工廠資產；

• 2025年3月完成第二階段交割，SK海力士支付剩餘20億美元，獲得NAND晶圓設計IP與研發團隊，交易徹底收官，對應業務以Solidigm品牌獨立運營。

至此，英特爾徹底退出通用NAND市場，第二次從存儲主戰場戰略性撤退。而這筆交易的操盤者，正是當時的SK海力士CEO李錫熙。

傲騰孤注一擲，仍難逃一死

在出售NAND的同時，英特爾保留了傲騰（Optane）業務，這可以看作是其第三次存儲探索，也是最具技術野心的一次嘗試。

傲騰基於3D XPoint介質，定位介於DRAM與NAND之間的存儲級內存（SCM），宣稱讀寫速度是NAND的千倍、壽命遠超閃存，旨在填補存儲層級空白，重構數據中心存儲架構，被視為25年來存儲芯片最大突破。

從技術角度來看，傲騰無疑是成功的。它在數據庫、高頻交易、實時計算等場景展現出碾壓級性能，持久內存模式更是開創性地實現了內存級容量擴展。

但商業化上，傲騰依舊遭遇了徹頭徹尾的失敗。因成本過高、生態適配困難、消費級市場推廣失敗，最終叫好不叫座。2021年美光終止3D XPoint研發並出售工廠，2022年英特爾正式關閉傲騰業務。

幾番嘗試，相繼折戟。英特爾在存儲領域的履歷，可謂寫滿了遺憾。

覆盤英特爾幾十年來的存儲沉浮，其失敗的底層邏輯基本一致：

• 模式錯配：直接下場做標準化通用顆粒，陷入重資產、強周期、價格戰的泥潭，與英特爾輕資產IP研發的基因相悖；

• 定位偏差：技術路線超前於產業生態，無法形成規模化商業閉環；

• 協同割裂：存儲業務與處理器業務各自為戰，沒有從系統架構層面打通計算與存儲的價值聯動。

但這幾次在存儲領域的試錯並非一無是處。它為英特爾積累並保留了大量相關技術和經驗。尤其是傲騰技術在內存層級架構設計、持久內存軟硬件協同、存儲與計算協同優化的寶貴經驗，這些技術沉澱，或許正是今天支撐英特爾再次勇敢探索的底層遺產。

為何再次轉身？

針對開頭提到的消息，英特爾選擇在此刻重返存儲，絕非一時興起，而是AI浪潮下產業底層邏輯質變的必然結果。

2026年，存儲芯片正處於一輪前所未有的超級景氣周期。Omdia預計2026年全球半導體市場按年增長94.1%，存儲芯片收入將佔全球半導體總營收50%以上。摩根大通預測2026年全球存儲市場規模約9690億美元，2028年將達1.82萬億美元。高盛預測，面向定製ASIC AI芯片的HBM需求將飆升82%。

HBM市場方面，根據SEMI與集邦諮詢數據，2026年全球HBM市場規模預計達到546億美元，按年增長58%，佔DRAM整體市場規模近四成；2028年將突破1020億美元，三年複合增速高達44%。

供需失衡是本輪周期的核心特徵。儘管三星、SK海力士、美光三大原廠已將70%的新增DRAM產能向HBM傾斜，但整體供需缺口仍高達50%-60%，2026年全年HBM產能已被英偉達、AMD及頭部雲廠商提前包銷殆盡。

更關鍵的是價值邏輯的質變。陳立武在播客中坦言：「我以前總說別投存儲，因為那是商品業務，但現在一切都變了。」他將AI對存儲的拉動定性為「戰略性」機會。

過去50年，存儲芯片的本質是「大宗商品」——遵循JEDEC通用標準，標準化生產、規模化銷售、價格周期驅動，是典型的強周期重資產業務。如今，隨着AI系統對存儲帶寬需求暴增，存儲已從「配角」變成了AI基礎設施的性能瓶頸和價值高地。

一方面，AI時代存儲的價值重心從容量轉向帶寬與能效，HBM等新型存儲不再是標準化耗材，而是與算力芯片深度綁定的系統級組件；另一方面，後摩爾時代，單靠製程工藝提升性能的邊際效益遞減，3D堆疊、異質集成成為主要性能增益來源，計算與存儲的物理邊界正在消融。

正如陳立武所言，直接在CPU上疊加內存「非常合理」，兩者有很多方法可以堆疊在一起。

面對馮·諾依曼架構的先天短板以及存儲器的挑戰，當前行業的主流解法，是通過HBM堆疊、Chiplet異質集成、CXL內存擴展來縮短數據傳輸距離、提升帶寬。但這些都只是過渡方案，真正的終極方向，是從物理層面打破計算與存儲的邊界，實現架構級融合。

這給英特爾帶來了新的機會窗口。同時這也意味着，英特爾此次重返存儲，或許不會重走自建晶圓廠、生產通用存儲顆粒的老路。它的戰場，從顆粒製造轉移到了架構定義與系統集成。

因為行業不缺能造DRAM顆粒的廠商，但缺少同時具備頂級處理器架構定義能力、自研先進封裝技術、晶圓代工量產能力的玩家，去做計算與存儲的系統級整合。

剝離閃存、終止傲騰後，英特爾一度缺席AI浪潮的核心賽道。如今，存儲行業正處於創新的關鍵時期，這往往也是格局重塑的窗口期。

陳立武強調長期主義，關注未來10-15年的產業平台建設。這一次，英特爾不想再錯過。

英特爾重返存儲，有哪些路徑？

明確了時代背景，再分析英特爾的具體路徑，可能會變得相對清晰。

請來「買走自己業務的人」

上文提到，今年6月英特爾宣佈任命前SK海力士CEO李錫熙為代工業務執行副總裁，全面負責先進封裝、系統集成、後段技術開發及後段製造，直接向陳立武彙報。

這一人事任命充滿了戲劇性——2020年主導收購英特爾NAND業務的SK海力士代表，正是李錫熙本人。如今，這位買走英特爾最後一塊內存業務的人，被請回來操盤英特爾最接近內存的部門。

更值得注意的是，李錫熙並非空降的外人。他曾在2000年至2010年間在英特爾擔任工藝集成工程師，參與了從130nm到32nm節點的開發，並三次獲得英特爾成就獎。此後他領導SK海力士，主導了HBM的開發。2018年12月起擔任SK海力士CEO期間，公司HBM市佔率攀升至約60%，市值從約370億美元增長至超過800億美元。

這就是文章開頭那句話，陳立武在播客中特意點出這一任命作為信號：「我剛聘了我好朋友李錫熙，他以前掌管SK海力士——所以你大概能猜到我在想什麼。」

IFS代工為載體，聚焦HBM封裝

筆者認為，最容易落地、最快產生收益的路徑，是英特爾依託IFS先進封裝能力，與SK海力士開展HBM深度協同。

李錫熙的加盟，可以看作是英特爾與SK海力士深化合作的信任紐帶。在台積電CoWoS產能不足的當下，雙方的合作模式非常明確：SK海力士提供HBM存儲顆粒，英特爾提供EMIB 2.5D封裝、Foveros 3D封裝技術，將HBM與Xeon CPU、英特爾GPU乃至第三方AI芯片做異質集成，向客戶交付一體化封裝成品。

對英特爾而言，這套模式有多重價值：

一是提升IFS代工業務的附加值，從單純的邏輯晶圓代工升級為「邏輯芯片+存儲顆粒+先進封裝」的總包方案，拉高代工業務毛利率；

二是保障自身CPU、GPU產品線的HBM供應穩定，在行業缺貨周期中獲得供應鏈優勢；

三是積累存儲與邏輯芯片協同封裝的量產經驗，為下一代堆疊內存架構鋪路。

ZAM堆疊內存，打造HBM替代架構

2026年2月，英特爾宣佈與軟銀子公司SAIMEMORY合作開發ZAM（Z-Angle Memory）技術。

ZAM的核心思路，是將DRAM芯片以斜向角度堆疊在處理器上方，通過Z-Angle互連技術縮短數據傳輸路徑，從物理層面擊穿存儲牆。根據已公開的技術參數，ZAM可降低40%-50%的功耗；量產成本僅為HBM的60%；單芯片容量最高可達512GB，是現有HBM的2至3倍，在散熱表現上優於傳統垂直堆疊方案。

根據VLSI官方會議列表泄露的預發布摘要，ZAM的「Via-in-One TSV」（一體化硅通孔）架構可實現約0.25Tb/s/mm²的超高內存帶寬，數據傳輸功耗控制在0.35W/mm²以下。

該項目2026年一季度正式啓動，計劃於2027年推出原型產品，2030年前後實現全面商業化量產，目前已獲得日本NEDO政府資金支持，力積電也加入陣營參與工藝研發。合作分工上，SAIMEMORY負責技術設計與知識產權管理，英特爾輸出3D堆疊與內存架構經驗，力積電與日本新科電子提供試產與製造支持。

值得注意的是，ZAM並不打算替代所有HBM場景，而是瞄準高功耗、大容量的AI訓練與超算場景，主打能效比與成本優勢，走差異化路線。它複用了英特爾傲騰時期積累的內存層級設計經驗，是英特爾存儲技術遺產的延續。

XBM：繞開硅中介層的「另類HBM」

XBM（Cross-Batch Memory，跨批次內存）是英特爾在2024年12月提交、2026年7月公開的專利申請（US20260191095A1）。

據了解，XBM的核心創新在於：將傳統DRAM前端硅層中的存儲單元移至後端金屬互連層（BEOL），使用薄膜晶體管制造。同時，XBM放棄了HBM所需的約3000線並行總線——這條總線必須通過昂貴的硅中介層路由。取而代之的是，XBM將數據串行化到UCIe鏈路上，運行速率為32GT/s。

UCIe是英特爾與AMD、Arm、高通、三星和台積電共同制定的開放標準，意味着任何實現該標準的芯片都可以連接XBM，無需定製中介層。每個XBM芯片的容量在0.5GB至5GB之間。不過，BEOL晶體管DRAM尚未在製造規模上得到驗證，32GT/s已是UCIe v2.0的當前速率上限。分析師預計XBM商業化不會早於2030年。

軟硬件全棧生態，綁定CXL構築壁壘

硬件架構之外，英特爾的另一重優勢是軟件生態。

英特爾可以在Xeon至強處理器架構中原生適配堆疊內存與CXL內存擴展，輸出服務器BIOS、固件、底層驅動、虛擬化內存管理全套軟件棧，為大客戶提供從硬件到軟件的一體化內存解決方案。

這種處理器架構+封裝硬件+軟件棧的全棧綁定，是純存儲廠商不具備的能力。對雲廠商而言，採用英特爾的方案可以大幅降低服務器整機適配成本，實現內存調度的深度優化。

從通用到定製，AI存儲的範式革命

要真正理解英特爾路線的價值，需要先看清一個行業底層趨勢：存儲正在告別大宗商品時代，全面走向系統級定製化。

三星前不久剛發布的zHBM，也是對這個趨勢的一個佐證。

在2026年8月的FMS未來存儲大會上，三星正式發布zHBM概念架構，徹底顛覆了傳統HBM的形態。

傳統HBM採用2.5D佈局，內存顆粒與處理器並排放置在中介層上，數據橫向傳輸；而zHBM將HBM通過晶圓混合鍵合技術直接垂直堆疊在AI加速器（xPU）正上方，數據傳輸距離從毫米級壓縮到微米級。

三星公布的目標性能指標極為激進：

• 綜合性能達到HBM5的約8倍；

• 內存密度超過HBM5的10倍；

• 能效提升3倍，熱阻降低50%以上；

• 支持中間層定製IP嵌入，可根據客戶需求植入內存控制器、加速模塊等，實現一客一定製。

zHBM的本質，是存儲原廠利用IDM全棧優勢，將存儲從標準化元器件升級為算力綁定的定製化組件。它不再是通用的存儲芯片，而是AI系統的一部分。三星憑藉自研DRAM顆粒+晶圓鍵合工藝+架構設計的全鏈條能力，走的是一條重資產、高壁壘的垂直閉環路線。

對比來看，英特爾走的是另一條完全不同的定製化路線，它不掌握顆粒製造，而是依託封裝與架構能力做系統級定製集成商。

整體來看，英特爾的定製化能力分為三層：

• 封裝硬件定製：依託EMIB、玻璃基板技術，為不同客戶的CPU、GPU、AI芯片提供個性化的「邏輯芯片+HBM顆粒」異質集成方案，在中介層嵌入自定義加速IP；

• 架構協議定製：以ZAM斜向堆疊架構對標zHBM的Z軸革命，依託UCIe聯盟主導地位，打通不同算力芯片與堆疊內存的高速互聯，提供可裁剪的帶寬、容量與時延參數；

• 軟件生態定製：基於CXL 3.0協議為大客戶定製內存虛擬化池、分層存儲調度算法、AI負載專屬內存管理固件，形成軟硬件全棧閉環。

對英特爾而言，重返存儲的最大優勢在於：它自己就是那個「贏家候選人」——如果XBM/ZAM能與英特爾CPU和代工業務形成協同，它將不必像三星那樣押注外部客戶，而是可以自產自銷，構建從計算到存儲的完整閉環。

重返之路，絕非坦途

當然，我們不能只看利好。英特爾此次重返存儲，依然面臨諸多不容忽視的短板與不確定性。

一方面，如果按照上述路徑推理來看，英特爾沒有內存顆粒製造能力，終究受制於人。無論是HBM封裝協同還是ZAM堆疊內存，核心存儲介質都需要向三星、SK海力士、美光采購。在行業供需緊張的周期中，上游原廠掌握絕對話語權，英特爾的定製化業務可能面臨顆粒供應不足、成本居高不下的問題。在超大客戶的深度鎖單定製項目中，沒有自有產能的英特爾議價能力也會弱於三星等IDM廠商。

其次是技術落地周期偏長。ZAM架構要到2030年才能全面量產，而三星zHBM預計2028-2029年即可落地，英特爾存在1-2年的窗口劣勢，可能錯過AI存儲的最佳爆發期。同時，ZAM還面臨生態兼容性挑戰——HBM在生態系統、標準化以及與GPU/AI加速器設計的整合方面擁有巨大領先優勢。

此外，內部組織協同也是挑戰。IFS代工、CPU事業部、先進封裝部門分屬不同體系，跨團隊磨合難度大，能否順利統籌各方資源、推動戰略落地，仍有待觀察。況且，英特爾當前的財務狀況也讓其重返內存的命題略顯沉重。

還有一點需要注意——AI資本開支的波動。如果大模型投孖展放緩、AI算力需求增速回落，HBM及高端堆疊內存的景氣度將大打折扣，英特爾新架構的商業價值也會隨之打折。

寫在最後

AI時代存儲的競爭，已經逐漸脫離了誰能造出更多顆粒的初級階段，轉向誰能最優打通計算與存儲系統架構的高階競爭。三星走IDM自研顆粒+zHBM垂直堆疊的重資產定製路線，SK海力士也在推進HBM4定製化Base Die方案，英特爾走架構定義+封裝代工的輕資產定製路線。

從50多年前的1103 DRAM到如今試圖重返賽場，英特爾的存儲故事走過了半個多世紀。這一次的不同在於：英特爾或許不再是追逐大宗商品市場的份額，而是在AI時代重新定義計算與存儲如何在一起。

這個曾經在存儲領域寫下輝煌與遺憾的名字，正試圖在這個關鍵時期重新落子。