快科技7月8日消息，浦項科技大學研究團隊近日宣佈開發出超薄半導體芯片穩定堆疊技術。由機械工程系金錫教授、金宇鉉博士生及韓國工業技術研究院金浩鉉博士共同完成。

該技術集成密度達到現有HBM的約4倍，為高性能AI半導體鋪平道路。

HBM決定AI半導體性能，其核心在於多層存儲芯片垂直堆疊。堆疊層數越多，性能越強，但芯片越薄越難處理。

厚度僅幾十微米甚至更薄的芯片極易彎曲或斷裂，傳統工藝在此尺度下失效。這一問題長期制約着HBM的層數突破。

研究團隊將轉移印刷與實時鍵合兩種技術整合為單一工藝平台。轉移印刷負責將芯片精準移至指定位置，實時鍵合在芯片轉移瞬間同步完成金屬連接。

芯片轉移、貼裝與電氣連接三道工序合為一體。這一集成方案從根本上解決了超薄芯片的操作難題。

利用該工藝，團隊在低於180攝氏度、低於20千帕的溫和條件下成功堆疊厚度約14微米的超薄硅芯片10層以上。14微米約為頭髮絲的五分之一。

堆疊完成後層間對位誤差極小，芯片翹曲被大幅抑制。相同封裝高度內可容納的芯片數量大幅增加。

該技術不僅適用於AI半導體，還可用於小芯片封裝及微發光二極管顯示器領域。研究成果已發表在國際學術期刊《Results in Engineering》網絡版。

行業分析認為，從材料工藝到集成方案，這項突破為後摩爾時代的芯片堆疊提供了全新技術路徑。