6月22日,聯電盤前升逾8%,報26.16美元/股,成交額68.29萬美元,延續近期強勢反彈態勢。
消息面上,英特爾與聯電達成合作共同開發3nm及12nm工藝技術,生產線將落地英特爾亞利桑那州工廠,12nm工藝預計明年正式量產貢獻營收,3nm工藝目標對標台積電水準,聯電無需大規模資本開支即可切入先進製程賽道。
同時,聯電嵌入式深溝槽電容(DTC)技術成功切入高通供應鏈並已開始出貨,疊加一季度淨利潤按年激增108%至161.7億新台幣及下半年選擇性漲價約10%的盈利預期,多重利好共振持續吸引資金回補。
半導體板塊整體回暖,英特爾漲4.5%,美光科技漲3.09%,邁威爾科技漲1.94%。
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